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SiC Substrate Wafer (Production Grade)
Product Name: Silicon Carbide Substrate
Grade: Production Grade
Type: 4H-N ; 4H-SI
Micropipe Density:≤1 cm-2 -
碳化硅晶片 产品级SiC衬底晶片
等级:产品级碳化硅晶片
厚度:350um;500um
尺寸:4英寸 6英寸
类型:4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
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Product Name: Silicon Carbide Substrate
Grade: Production Grade
Type: 4H-N ; 4H-SI
Micropipe Density:≤1 cm-2
等级:产品级碳化硅晶片
厚度:350um;500um
尺寸:4英寸 6英寸
类型:4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型